プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072575
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274141
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】静電吸着力によって試料を試料台に保持させる静電吸着膜を備えた処理装置において、試料の処理終了時における静電吸着の除電時間を短縮することのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】処理室内に設けられ、試料が配置される電極と、前記電極に前記試料を静電吸着力によって保持する静電吸着手段と、前記電極と前記試料の裏面間に伝熱ガスを導入する伝熱ガス導入手段と、前記処理室内にプラズマを生成するためのプラズマ生成用高周波電源と、前記試料のエッチング時に前記電極に高周波バイアス電圧を印加するバイアス用高周波電源を備えたプラズマ処理装置において、前記バイアス用高周波電源からの高周波バイアス電圧の印加により発生する自己バイアス電圧によって、前記試料の吸着力の一部を確保するようにした。

請求項（抜粋）：

処理室内に設けられ、試料が配置される電極と、前記電極に前記試料を静電吸着力によって保持する静電吸着手段と、前記電極と前記試料の裏面間に伝熱ガスを導入する伝熱ガス導入手段と、前記処理室内にプラズマを生成するためのプラズマ生成用高周波電源と、前記試料のエッチング時に前記電極に高周波バイアス電圧を印加するバイアス用高周波電源を備えたプラズマ処理装置において、前記バイアス用高周波電源からの高周波バイアス電圧の印加により発生する自己バイアス電圧によって、前記試料の吸着力の一部を確保するようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 B , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (8件)

位置合わせ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-359551 出願人：キヤノン株式会社
プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-349237 出願人：富士通株式会社
プラズマ処理装置の制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-284207 出願人：東京エレクトロン株式会社

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