特許
J-GLOBAL ID：200903051529219600

積層構造体の形成方法及び絶縁膜の集積方法

発明者：
ネルソン・ローク・チョウ・サン

ネルソン・ローク・チョウ・サン について

, 
佐藤 清志

佐藤 清志 について


出願人/特許権者：
日本エー・エス・エム株式会社

日本エー・エス・エム株式会社 について


代理人 (2件)： 後藤 洋介 ,  池田 憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-358792
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153266
出願日： 2003年10月20日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】 高い寸法精度と低いk値(比誘電率)を有する絶縁膜の集積方法を提供する。【解決手段】 プラズマエネルギーを使用して集積化された絶縁層を形成する方法であって以下の工程を含む。(i)第1の原料ガス流量での原料ガス及び第1の不活性ガス流量での不活性ガスから成る第1の反応ガスを使用して、基板上に第1の絶縁層を堆積する。ここで、第1の不活性ガスの流量は、第1の原料ガス流量の40%以下である。(ii)続いて、第2の原料ガス流量での原料ガス及び第2の不活性ガス流量での不活性ガスから成る第2の反応ガスを使用して、第1の絶縁層上に第2の絶縁層を堆積する。ここで、第2の不活性ガスの流量は、第2の原料ガス流量の40%以上である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にエッチングされるべき層(エッチング層)とエッチング停止層とを有する積層構造を形成する方法であって、 反応室中に、シリコンとカーボンとを含む原料ガスから成る反応ガスを原料ガス流量で導入する一方、不活性ガスを原料ガス流量の40%以上の不活性ガス流量で導入し、 加熱された基板支持部材上に取り付けられた基板の上流側であってかつ反応ガスが存在する空間に、プラズマエネルギーを印加し、 ブラズマエネルギーを使用して、反応ガスから基板上にエッチング停止層を形成し、 基板上に少なくとも一つのエッチング層を形成することにより積層構造を形成することを特徴とする積層構造体の形成方法。
IPC (3件)：
H01L21/768 ,  C23C16/505 ,  H01L21/316
FI (4件)：
H01L21/90 M ,  C23C16/505 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/90 P
Fターム (45件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA37 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA05 ,  4K030JA20 ,  4K030LA02 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW00 ,  5F033WW06 ,  5F033WW09 ,  5F033XX03 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第6,100,184号明細書
  • 米国特許第6,140,226号明細書
  • 米国特許第6,177,364号明細書
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審査官引用 (4件)
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