特許

J-GLOBAL ID：200903058246247700

酸化プラズマを用いた低誘電率膜の堆積方法

発明者： ツ-ファン ファン ,  ヤン-チェン ルー ,  リ-クン シア ,  エリー イー ,  ワイ-ファン ヤウ ,  デイヴィッド ダブリュー. チェウン ,  ラルフ ビー. ウィレック ,  クオ-ウェイ リィウ ,  ユ-ヒュン リー ,  ファーハッド モガダム ,  イェミン ジム マ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-121623
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110670
出願日： 2001年04月19日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 有機シリコン化合物のプラズマ増速酸化によって少なくとも1原子量%の炭素含有量を有する膜を堆積させることによって、酸化シリコン層を生成する。【解決手段】 有機シリコン化合物の流量以下の流量で酸素をチャンバの中に導入し、0.9W/cm2から約3.2W/cm2の出力密度でプラズマを生成することによって、低水分含有量およびクラッキング耐性を有する膜を堆積させる。場合により、堆積処理を容易にするために、有機シリコン化合物の流量以下の流量でキャリヤガスを導入してもよい。有機シリコン化合物は、好ましくは各シリコン原子に結合された2個または3個の炭素原子を有するもの、例えばトリメチルシラン、(CH3)3SiHである。有機シリコン化合物の酸化を一時的に増大させることによって酸化シリコン層の隣に酸素リッチ表面を形成してもよい。

請求項（抜粋）：

低誘電率膜を堆積するための方法であって、1以上の有機シリコン化合物を少なくとも約0.03W/cm2のRF出力密度で酸化して、少なくとも1原子量%の炭素含有量を有する膜を堆積するステップを含む、方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/90 K

Fターム (49件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA27 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR12 ,  5F033RR20 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033XX24 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ハロゲンドープシリコン酸化物膜の安定性向上のための方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-063547   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 集積回路製造のための低誘電率材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-250863   出願人：ミクロンテクノロジーインコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-020086   出願人：富士通株式会社