特許

J-GLOBAL ID：200903051534986636

炭化けい素半導体素子の製造方法

発明者： 辻 崇
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-082087
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280381
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】炭化けい素半導体基板の熱酸化時にMOS界面に生じ、例えば炭化けい素MOSFETの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のSiC半導体素子を作製する方法を提供する。【解決手段】熱酸化による薄い酸化膜の形成と、その後のN2 、H2 、NH3 、Arなどのガス中でのアニールとを繰り返し、所定の酸化膜厚とする。熱酸化による薄い酸化膜の形成とその後のN2 、H2 、NH3 、Arなどのガス中でのアニールとをおこなった後、堆積法にて酸化膜を形成し所定の酸化膜厚としても良い。

請求項（抜粋）：

熱酸化による薄い酸化膜の形成工程と、酸化膜の形成工程とは異なるガス雰囲気中におけるアニール工程とを繰り返して、所期の厚さの酸化膜を形成することを特徴とする炭化けい素半導体素子の製造方法

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (25件)：

5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF63 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH05 ,  5F140AA01 ,  5F140AA05 ,  5F140AA30 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BD06 ,  5F140BD15 ,  5F140BE01 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 化合物膜の形成方法及び半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-099224   出願人：三洋電機株式会社
• 炭化ケイ素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-165471   出願人：富士電機株式会社
• SiCの熱酸化膜の改善方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-008557   出願人：新日本製鐵株式会社