特許
J-GLOBAL ID：200903051538444218
レーザマーキング方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401484
公開番号（公開出願番号）：特開2002-205178
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月23日
要約：
【要約】【課題】 レーザビームによるCSP等へのマーキングでチップ自体およびIC回路へのダメージをなくし、マーキングパターンの視認性を向上する。【解決手段】 レーザビーム116をシリコンチップ118の表面に照射し表面にマーキングを行う方法である。この方法では、表面を溶融・再凝固させる低いエネルギ密度による第1レーザビーム照射と、表面に溝を形成する高いエネルギ密度による第2レーザビーム照射を用い、第1レーザビーム照射と第2レーザビーム照射のいずれか一方で表面にパターン11を描き、他方で表面に背景であるエリア12を描く。低いエネルギ密度はパルスエネルギ密度で3〜11mJ/mm2の範囲に含まれ、高いエネルギ密度は、パルスエネルギ密度で11mJ/mm2より大きい範囲に含まれる。
請求項（抜粋）：
レーザビームを被加工物の表面に照射し、前記表面にマーキングを行うレーザマーキング方法において、前記表面を溶融・再凝固させる低いエネルギ密度による第1レーザビーム照射と、前記表面に溝を形成する高いエネルギ密度による第2レーザビーム照射を用い、前記の第1レーザビーム照射と第2レーザビーム照射のいずれか一方で前記表面にマークを描き、他方で前記表面に背景部を描くことを特徴とするレーザマーキング方法。
IPC (4件)：
B23K 26/00
, B23K 26/06
, B41J 2/44
, H01L 21/02
B23K 26/00 B
, B23K 26/00 N
, B23K 26/06 J
, H01L 21/02 A
, B41J 3/00 Q
2C362AA10
, 2C362AA12
, 2C362AA54
, 2C362BA67
, 2C362CB67
, 4E068AB01
, 4E068CA02
, 4E068CD05
, 4E068CD10
, 4E068DA10
