特許
J-GLOBAL ID:200903051668752267

有機修飾された層状複水酸化物を調製する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松井 光夫
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-543798
公開番号(公開出願番号):特表2009-518265
出願日: 2006年12月01日
公開日(公表日): 2009年05月07日
要約:
層状複水酸化物の個々の層間に約1.5nmの距離を有し、電荷を均衡させるアニオンとして有機アニオンを含んでいる、有機修飾された層状複水酸化物を調製する方法であって、(a)二価金属イオン源および三価金属イオン源を含んでいる前駆体懸濁物を調製する段階、および(b)該前駆体懸濁物をソルボサーマル的に処理して、層状複水酸化物を得る段階を含んでおり、段階(b)の層状複水酸化物の形成の前もしくはその間にまたは該層状複水酸化物の形成に引き続いて有機アニオンが添加され、その結果、該有機修飾された層状複水酸化物が得られ、ただしデオキシコール酸が唯一の有機アニオンであることを除く方法、さらに、層状複水酸化物の個々の層間に約1.5nmの距離を有し、電荷を均衡させるアニオンとして有機アニオンを含んでいる、有機修飾された層状複水酸化物を調製する方法であって、(a)二価金属イオン源および三価金属イオン源を含んでいる前駆体懸濁物を調製する段階、および(b)該前駆体懸濁物を熱的に処理して、層状複水酸化物を得る段階を含んでおり、段階(b)の層状複水酸化物の形成の前もしくはその間にまたは該層状複水酸化物の形成に引き続いて有機アニオンが添加され、その結果、該有機修飾された層状複水酸化物が得られ、ただし、段階(a)において該三価金属イオン源が該二価金属イオン源の添加前に60〜85°Cの温度で4〜8時間該有機アニオンと反応されそして段階(b)がその後に90〜95°Cの温度で4〜8時間実施されること、を除く方法【選択図】なし
請求項(抜粋):
層状複水酸化物の個々の層間に約1.5nmの距離を有し、電荷を均衡させるアニオンとして有機アニオンを含んでいる、有機修飾された層状複水酸化物を調製する方法であって、 (a)二価金属イオン源および三価金属イオン源を含んでいる前駆体懸濁物を調製する段階、および (b)該前駆体懸濁物をソルボサーマル的に処理して、層状複水酸化物を得る段階 の段階を含んでおり、段階(b)の層状複水酸化物の形成の前もしくはその間にまたは該層状複水酸化物の形成に引き続いて有機アニオンが添加され、その結果、該有機修飾された層状複水酸化物が得られ、ただしデオキシコール酸が唯一の有機アニオンであることを除く、方法。
IPC (1件):
C01F 7/00
FI (1件):
C01F7/00 C
Fターム (11件):
4G076AA19 ,  4G076AA30 ,  4G076AB03 ,  4G076AB06 ,  4G076AB12 ,  4G076AC04 ,  4G076BB06 ,  4G076CA28 ,  4G076CA36 ,  4G076DA04 ,  4G076DA05
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 国際公開第99/35185号パンフレット
  • 国際公開第00/09599号パンフレット
審査官引用 (5件)
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