集積回路の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外10名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-584473
公開番号（公開出願番号）：特表2003-533880
出願日： 2001年05月15日
公開日（公表日）： 2003年11月11日
要約：

【要約】本発明は、集積回路の処理中少なくとも部分的に金属酸化物の状態にある少なくとも1層の金属単体層を含む集積回路の製造方法に関し、集積回路の製造中に形成された金属酸化物層を還元するための特定の官能基を有する有機化合物の使用に関する。本方法によれば、金属酸化物層は、アルコール(-OH)、アルデヒド(-CHO)およびカルボン酸(-COOH)各官能基の1種以上を含む有機化合物から選択される還元剤を用いて少なくとも部分的に金属単体に還元される。

請求項（抜粋）：

集積回路の処理中少なくとも部分的に金属酸化物の状態にある少なくとも1層の金属単体層を含む集積回路の製造方法であって、該金属酸化物層を、アルコール(-OH)、アルデヒド(-CHO)、およびカルボン酸(-COOH)の各官能基の1種以上を含む有機化合物から選択された1種以上の化合物からなる気体状還元剤を用いて少なくとも部分的に金属単体にすることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/285 Z , H01L 21/88 B , H01L 21/90 A

Fターム (65件)：

4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD31 , 4M104DD75 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG19 , 5F033HH03 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH16 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH35 , 5F033JJ01 , 5F033JJ04 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ15 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ35 , 5F033KK01 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033PP35 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033VV10 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033XX01 , 5F033XX10 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (6件)

ウエハの洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-138365 出願人：日本電気株式会社
特開平4-045534
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-245684 出願人：日本電気株式会社

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