強誘電体メモリ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-095422
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284542
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】記録再生に関する耐久性が高く、かつ低消費電力で動作し、かつ高密度集積化に耐え得るることが可能な強誘電体メモリ素子を提供すること。【解決手段】第一の金属層101と第二の金属層102の間に、強誘電体層A103と金属層B104とを交互に積層した超格子構造をはさんでキャパシタを構成する。

請求項（抜粋）：

第一の金属層と第二の金属層の間に、強誘電体層Aと金属層Bとを交互に積層した超格子構造をはさんでキャパシタを構成することを特徴とする強誘電体メモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 651

Fターム (12件)：

5F083AD21 , 5F083AD60 , 5F083FR01 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA21 , 5F083JA14 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083JA44 , 5F083JA45 , 5F083PR25

引用特許：

審査官引用 (4件)

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