多層強誘電体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-040177
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230384
出願日： 2000年02月17日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】強誘電体メモリにおいて、記憶容量を増大させる場合、多層にして単純に重ねると製造プロセスのコスト、および納期がそれに応じて増大する。また、多層に応じて配線や回路が増大し、レイアウトが困難になる。【解決手段】マトリクス状メモリを同一平面上に2層以上、複数層形成し、下層のマトリクス状メモリの上部電極群13と上層のマトリクス状メモリの下部電極群13を共用する。マトリクス状メモリを多層にしたことで記憶容量が倍増する。下層のマトリクス状メモリの上部電極群と上層のマトリクス状メモリの下部電極群を共用したことで、製造プロセスのコストが低減し、期間が短縮する。また、配線や駆動回路が少なくなりレイアウト設計上の負担が軽くなる。

請求項（抜粋）：

a)第1の強誘電体層と、該強誘電体層の下層に位置する第1の電極群と、前記強誘電体層の上層に形成され、かつ前記第1の電極群と交差する第2の電極群を有する第1のマトリクス状不揮発性記憶素子と、b)第2の強誘電体層と、該強誘電体層の下層に位置する第2の電極群と、前記強誘電体層の上層に形成され、かつ前記第2の電極群と交差する第3の電極群を有する第2のマトリクス状不揮発性記憶素子とを有し、c)かつ、前記第1のマトリクス状不揮発性記憶素子の強誘電体層の上層に位置する第2の電極群と、前記第2のマトリクス状不揮発性記憶素子の強誘電体層の下層に位置する第2の電極群とが、共有かつ同一であることを特徴とする多層強誘電体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Fターム (11件)：

5F001AA17 , 5F001AB09 , 5F001AD51 , 5F083FR01 , 5F083GA22 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F101BA62 , 5F101BB17 , 5F101BD32

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-038866
特開平4-038866
強誘電体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-243289 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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