特許
J-GLOBAL ID：200903051764623214
ビルドアップ多層配線板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202444
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036660
出願日： 1998年07月17日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】微細な回路導体の形成が可能であり、かつ絶縁性と接続信頼性に優れたビルドアップ多層配線板の製造方法を提供する。【解決手段】回路基板上に、半硬化状態の絶縁層と、粗化面を有する極薄の金属層とキャリア層からなる複層材とを積層一体化し、キャリア層のみを除去し、極薄の金属層に、バイアホールとなる箇所に開口部を形成し、開口部に露出した硬化した絶縁層を、レーザー光を照射して、内部の回路基板の回路導体が露出するまで、除去し、極薄の金属層をエッチング除去し、バイアホールとなる穴の内壁と基板表面に無電解めっきを行い、基板表面のバイアホールとなる箇所と回路導体となる箇所を除いて、めっきレジストを形成し、めっきレジストで覆われていない箇所に、電気めっきを行い、めっきレジストを除去し、除去しためっきレジストの下にあった無電解めっきを、エッチング除去する、ビルドアップ多層配線板の製造方法。
請求項（抜粋）：
以下の工程を有することを特徴とするビルドアップ多層配線板の製造方法。a.回路基板上に、半硬化状態の絶縁層と、粗化面を有する極薄の金属層とキャリア層からなる複層材とをこの順に、あるいは粗化面を有する極薄の金属層とキャリア層からなる複層材の極薄の金属層に接する半硬化状の絶縁層を形成したものを、半硬化状態の絶縁層が接するように重ね、加熱・加圧して、積層一体化する工程。b.第1の基板からキャリア層のみを除去する工程。c.粗化面を有する極薄の金属層の、バイアホールとなる箇所のみをエッチング除去して開口部を形成する工程。d.開口部に露出した硬化した絶縁層を、レーザー光を照射して、内部の回路基板の回路導体が露出するまで、除去する工程。e.粗化面を有する極薄の金属層をエッチング除去する工程。f.バイアホールとなる穴の内壁と基板表面に無電解めっきを行う工程。g.基板表面のバイアホールとなる箇所と回路導体となる箇所を除いて、めっきレジストを形成する工程。h.めっきレジストで覆われていない箇所に、電気めっきを行う工程。i.めっきレジストを除去する工程。j.除去しためっきレジストの下にあった無電解めっきを、エッチング除去する工程。
FI (2件)：
H05K 3/46 E
, H05K 3/46 B
5E346AA02
, 5E346AA06
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA43
, 5E346BB01
, 5E346CC08
, 5E346CC32
, 5E346CC52
, 5E346CC54
, 5E346CC58
, 5E346DD02
, 5E346DD25
, 5E346DD33
, 5E346DD47
, 5E346EE33
, 5E346FF07
, 5E346FF15
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346GG23
, 5E346GG28
, 5E346HH07
, 5E346HH08
, 5E346HH24
, 5E346HH26
