特許
J-GLOBAL ID：200903051825960910

半導体装置

発明者：
稲垣 ▲靖▼彦

稲垣 ▲靖▼彦 について


出願人/特許権者：
ミツミ電機株式会社

ミツミ電機株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307584
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127167
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 抵抗素子を有する半導体装置に関し、印加電圧により抵抗値にバラツキが生じない半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板(2)上にバイポーラ素子とともに抵抗素子を形成される半導体装置(100)において、抵抗素子は、半導体基板(2)上に形成され、半導体基板(2)を絶縁する絶縁層(101)と、絶縁層(101)上に形成され、抵抗を形成する抵抗層(102)とを設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にバイポーラ素子とともに抵抗素子を形成される半導体装置において、前記抵抗素子は、前記半導体基板に形成され、前記半導体基板を絶縁する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、抵抗を形成する抵抗層とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件)：
H01L 27/06 101 D ,  H01L 27/04 R
Fターム (16件)：
5F038AR07 ,  5F038AR09 ,  5F038AR27 ,  5F038AV05 ,  5F038BH10 ,  5F038CD10 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F082AA24 ,  5F082BA02 ,  5F082BC15 ,  5F082BC18 ,  5F082DA02 ,  5F082EA21 ,  5F082FA20
引用特許：
審査官引用 (20件)
  • 特開平4-284666
  • 特開平4-284666
  • 抵抗内蔵型トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-046772   出願人：ローム株式会社
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