シリコン窒化膜の形成方法、形成装置、形成装置の処理方法及びプログラム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-323805
公開番号（公開出願番号）：特開2008-140864
出願日： 2006年11月30日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

【課題】パーティクルの発生を抑制するとともに、生産性を向上させることができるシリコン窒化膜の形成方法、形成装置、形成装置の処理方法及びプログラムを提供する。【解決手段】制御部100は、半導体ウエハWが収容された反応管2内に成膜用ガスを供給し、半導体ウエハWにシリコン窒化膜を形成する。そして、シリコン窒化膜の形成を複数回繰り返すことにより、反応管2の内壁等に付着した付着物が所定の累積膜厚となる前に、制御部100は、反応管2内に酸化ガスを供給して付着物を酸化する。続いて、制御部100は、反応管2内に窒化ガスを供給して酸化された付着物の表面を窒化させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薄膜形成装置の反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体にシリコン窒化膜を形成することにより装置内部に付着した付着物に、活性化された酸化ガスまたはオゾンを供給し、前記付着物を酸化する酸化工程を備える、ことを特徴とするシリコン窒化膜形成装置の処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44

FI (2件)：

H01L21/31 C , C23C16/44 J

Fターム (37件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030CA17 , 4K030DA06 , 4K030EA03 , 4K030FA03 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA04 , 4K030KA05 , 4K030KA41 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AA15 , 5F045AA20 , 5F045AB33 , 5F045AC05 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045BB15 , 5F045DP19 , 5F045EB05 , 5F045EC05 , 5F045EH18

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平3-293726号公報
特開平4-192330
CVD装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-386682 出願人：セイコーエプソン株式会社

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審査官引用 (1件)

特開平4-192330

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