特許

J-GLOBAL ID：200903051831143729

導電性金属酸化物焼結体およびその用途

発明者： 内海 健太郎 ,  高畑 努
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-363876
公開番号（公開出願番号）：特開2000-185968
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】 ITO薄膜を結晶化温度以上の基板温度でスパッタリング法により形成した場合においても、ドメイン構造を有さず平坦で、エッチング特性に優れた薄膜を提供する。【解決手段】 実質的にインジウム、スズ、亜鉛および酸素からなり、亜鉛をZn/(In+Sn+Zn)の比で0.1原子%以上、2.0原子%未満含有するITO焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて、亜鉛をZn/(In+Sn+Zn)の比で0.1原子%以上、2.0原子%未満含有するITO薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

実質的にインジウム、スズ、亜鉛および酸素からなり、亜鉛がZn/(In+Sn+Zn)の比で0.1原子%以上、2.0原子%未満の割合で添加されていることを特徴とする金属酸化物焼結体。

IPC (4件)：

C04B 35/457 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

C04B 35/00 R ,  C23C 14/34 A ,  G02F 1/1343 ,  H01L 31/04 M

Fターム (21件)：

2H092HA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA17 ,  2H092PA01 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA29 ,  4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC24 ,  5F051AA20 ,  5F051BA05 ,  5F051FA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 透明電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-197533   出願人：株式会社高純度化学研究所
• スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-259904   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 酸化インジウム系焼結体および酸化物焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平2-410685   出願人：日立金属株式会社, 株式会社安来精密