表示用薄膜半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-355286
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189999
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】表示用薄膜半導体装置に集積形成される薄膜トランジスタを絶縁基板から電気的に遮蔽するとともに、光学的な遮蔽も行なう。【解決手段】表示用薄膜半導体装置は金属下地膜20と薄膜トランジスタ30N,30P,30Xと画素電極14とを備えている。金属下地膜20は絶縁基板1上に所定のパタンで形成されている。各薄膜トランジスタは絶縁層21a,21bを介して金属下地膜20の上に位置し、半導体薄膜2とゲート電極5とをゲート絶縁膜4を挟んで重ねた積層構造である。画素電極14は薄膜トランジスタ30Xに接続している。金属下地膜20は固定電位に保持されているとともに、マトリクス状に配列した個々の画素電極14の周辺を囲む様にパタニングされている。半導体薄膜2はレーザ光の照射により結晶化された多結晶構造を有する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に所定のパタンで形成された金属下地膜と、絶縁層を介して該金属下地膜の上に位置し半導体薄膜とゲート電極とをゲート絶縁膜を挟んで重ねた積層構造からなる薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続して設けた画素電極とを備えた表示用薄膜半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 617 N , H01L 29/78 627 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-187907 出願人：株式会社東芝
マトリックス型表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-172765 出願人：三菱電機株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-051320 出願人：三菱電機株式会社

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