特許
J-GLOBAL ID：200903051846971504

プラズマ加工法

発明者：
滝川 浩史

滝川 浩史 について


出願人/特許権者：
伊藤光学工業株式会社

伊藤光学工業株式会社 について

, 
滝川 浩史

滝川 浩史 について


代理人 (1件)： 飯田 昭夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-182158
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008893
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 ドロップレットの捕集(堆積)除去作業が容易で、かつドロップレットのプラズマ加工部への混入を防止できて、基材(被処理物)に対する所望の表面処理が安定して可能なプラズマ加工法を提供すること。【解決手段】 必要により反応性ガスを導入した真空雰囲気下で真空アーク放電を行なってプラズマを発生させて、該プラズマをプラズマ加工部Tに流入させ、該プラズマ加工部Tに配置された被処理物30をプラズマにより表面処理加工を行なう方法。プラズマ発生部Eからのプラズマ流れPを磁界によりプラズマ発生部と対面しない方向に屈曲させて前記プラズマ加工部Tに流入させるとともに、プラズマ発生部Eと対面する位置をプラズマの発生時に陰極から副生する陰極材料微粒子(ドロップレット)を捕集するドロップレット捕集部Dとする。
請求項（抜粋）：
必要により反応性ガスを導入した真空雰囲気下で真空アーク放電を行なってプラズマを発生させて、該プラズマをプラズマ加工部に流入させ、該プラズマ加工部に配置された被処理物をプラズマにより表面処理加工を行なう方法であって、前記プラズマ発生部からのプラズマ流れを磁界誘導によりプラズマ発生部と対面しない方向に屈曲又は拡散させて前記プラズマ加工部に流入させるとともに、前記プラズマ発生部と対面する位置でプラズマの発生時に陰極から副生する陰極材料微粒子(以下「ドロップレット」という。)を捕集することを特徴とするプラズマ加工法。
IPC (5件)：
H05H 1/24 ,  C23C 14/24 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/50
FI (5件)：
H05H 1/24 ,  C23C 14/24 F ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/50
Fターム (18件)：
4K029BA17 ,  4K029BA48 ,  4K029CA04 ,  4K029CA10 ,  4K029DD06 ,  4K029EA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030FA14 ,  4K030JA04 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  4K057DD01 ,  4K057DE20 ,  4K057DM21
引用特許：
審査官引用 (6件)
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