特許
J-GLOBAL ID：200903051850217300

高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア

発明者：
竹之下 英博

竹之下 英博 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336845
公開番号（公開出願番号）：特開2001-151564
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：
【要約】【課題】Bs値が4000ガウスを越え、室温で108Ω・cm以上の高抵抗、500以上の高い透磁率を示し、且つ易焼結である高飽和磁束密度フェライト材料を提供する。【解決手段】 48〜50モル%のFe2O3、1〜5モル%のCuOと0.1〜1モル%のMnOを含有し、且つZnO/NiOのモル比が1〜1.6である主成分中に、副成分として、0.01〜0.2重量部のMgO、0.05〜0.5重量部のSiO2、0.05〜0.5重量部のAl2O3及び0.01〜0.2重量部のCr2O3を含有し、さらに好ましくは、副成分として0.001〜0.1重量部のZrO2及び0.001〜0.1重量部のY2O3を含有する。
請求項（抜粋）：
Fe、Zn、Ni、Cu及びMnの酸化物をFe2O3、ZnO、NiO、CuO及びMnO換算でFe2O3:48〜50モル%CuO:1〜5モル%MnO:0.1〜1モル%を含有し、残部をなすZnO/NiOのモル比が1〜1.6である主成分中に、副成分としてMg、Si、Al及びCrの酸化物を、それぞれMgO、SiO2、Al2O3及びCr2O3換算で、MgO:0.01〜0.2重量部SiO2:0.05〜0.5重量部Al2O3:0.05〜0.5重量部Cr2O3:0.01〜0.2重量部を含有することを特徴とする高飽和磁束密度フェライト材料。
IPC (3件)：
C04B 35/30 ,  C01G 49/00 ,  H01F 1/34
FI (3件)：
C01G 49/00 A ,  C04B 35/30 C ,  H01F 1/34 A
Fターム (24件)：
4G002AA09 ,  4G002AB01 ,  4G002AE02 ,  4G018AA07 ,  4G018AA12 ,  4G018AA16 ,  4G018AA20 ,  4G018AA21 ,  4G018AA23 ,  4G018AA24 ,  4G018AA25 ,  4G018AA28 ,  4G018AA31 ,  4G018AC02 ,  4G018AC05 ,  4G018AC08 ,  4G018AC16 ,  5E041AB01 ,  5E041AB19 ,  5E041BD01 ,  5E041CA01 ,  5E041NN00 ,  5E041NN02 ,  5E041NN06
引用特許：
審査官引用 (19件)
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