特許
J-GLOBAL ID：200903051851220940
緩衝層とチャネルの間に挿入層を有するHEMTデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-215682
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050641
出願日： 2001年07月16日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 チャネルの成長が容易で、従来技術のHEMTデバイスより、成長過程における不完全性に敏感でないHEMTデバイスおよびその製造法を提供する。【解決手段】 基板上に格子定数を有する緩衝層を蒸着し、緩衝層上にその緩衝層の格子定数より大きい格子定数を有する挿入層を蒸着し、挿入層上に、その挿入層の格子定数より大きい格子定数を有するチャネルを蒸着し、チャネルの上にバリヤ層を蒸着し、バリヤ層の上にキャップを蒸着し、バリヤ層の一部を露出させ、そのバリヤ層の露出部分上にゲートを蒸着し、そしてキャップ上にゲートおよびソースを蒸着することにより、HEMTデバイスを作製する。この挿入層は、その蒸着装置中での不純物に対する敏感さの小さいHEMTデバイスを提供し、そして、その上にチャネルを成長させるのがより容易な界面を提供する。
請求項（抜粋）：
基板上に、格子定数を有する緩衝層を配置する工程;該緩衝層上に、その緩衝層の格子定数より大きい格子定数を有する挿入層を配置する工程;その挿入層上に、その挿入層の格子定数より大きい格子定数を有するチャネルを配置する工程;該チャネル層の上にバリヤ層を配置する工程;該バリヤ層の上にキャップを配置する工程;該バリヤ層の一部を露出させる工程;そのバリヤ層の露出部分上にゲートを配置する工程;および、該キャップ上にゲートおよびソースを配置する工程、を含むHEMTデバイスを作製する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GJ06
, 5F102GK04
, 5F102GK05
, 5F102GK06
, 5F102GK08
, 5F102GK09
, 5F102GL04
, 5F102GL05
, 5F102GL08
, 5F102GL09
, 5F102GL20
, 5F102GM04
, 5F102GN05
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102HC01
