特許
J-GLOBAL ID：200903051957644006
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-347141
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174191
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】鉛フリーのスズ合金はんだめっきを用いて、クラックの発生を防止して、濡れ性の低下がなく、しかも耐ウィスカ性、耐食性などに優れた曲げ成形されたリードを有する信頼性の高い半導体装置を実現することにある。【解決手段】樹脂封止した半導体装置の外部リードにスズ合金をめっきする際に、めっき膜の膜厚方向に合金成分含有率が増加するように合金成分に濃度勾配をもたせてスズ合金めっき膜を形成する。リード表面に例えばBiやAg等の鉛を含まないスズ合金をめっきする際に、めっき膜の下層では合金成分であるBiやAgの含有率を少なく、上層では多する。極端な場合、下層をBiやAgの合金成分を含むスズ合金とし、上層をスズを含まないBiやAgの合金成分だけで形成してもよい。
請求項（抜粋）：
リードに電気的に接続された半導体素子が樹脂封止され、外部に露出したリード表面にスズ合金めっき膜が形成されかつ曲げ成形された半導体装置において、前記スズ合金めっき膜が、めっき膜厚方向に合金成分の含有率が増加するように濃度勾配を有していることを特徴とする半導体装置。
Fターム (4件)：
5F067DC12
, 5F067DC18
, 5F067DC19
, 5F067DC20
