特許

J-GLOBAL ID：200903051969351470

高誘電率絶縁膜、ゲート絶縁膜および半導体装置

発明者： 坂下 幸雄 ,  舟窪 浩
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 前田 均 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-088920
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151976
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 リーク特性、耐圧特性および表面平滑性に優れ、比較的に高誘電率で、微細化および小型化が可能なMOSFETのゲート絶縁膜として好ましく用いることができる高誘電率絶縁膜と、それを用いる半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体基板4と、半導体基板4の表面に直接にまたは他の層を介して形成される高誘電率絶縁膜8とを有する半導体装置である。高誘電率絶縁膜8が、ビスマス層状化合物を主成分とし、当該ビスマス層状化合物のc軸が前記半導体基板の表面に対して垂直に配向しており、前記ビスマス層状化合物が、組成式:(Bi2 O2 )2+(Am-1 Bm O3m+1)2-、またはBi2 Am-1 Bm O3m+3で表され、前記組成式中の記号mが正数、記号AがNa、K、Pb、Ba、Sr、CaおよびBiから選ばれる少なくとも1つの元素、記号BがFe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、MoおよびWから選ばれる少なくとも1つの元素である。

請求項（抜粋）：

c軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物を有する高誘電率絶縁膜であって、該ビスマス層状化合物が、組成式:(Bi2 O2 )2+(Am-1 BmO3m+1)2-、またはBi2 Am-1 Bm O3m+3で表され、前記組成式中の記号mが正数、記号AがNa、K、Pb、Ba、Sr、CaおよびBiから選ばれる少なくとも1つの元素、記号BがFe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、MoおよびWから選ばれる少なくとも1つの元素であることを特徴とする高誘電率絶縁膜。

IPC (11件)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (8件)：

H01L 21/316 B ,  C23C 14/08 K ,  H01L 21/283 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/62 G ,  H01L 27/04 C

Fターム (66件)：

4K029AA06 ,  4K029BA50 ,  4K029BC00 ,  4K029BC05 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  4M104AA01 ,  4M104BB06 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BA09 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF12 ,  5F058BF17 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ04 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP56 ,  5F083EP57 ,  5F083GA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA45 ,  5F083PR25 ,  5F101BA01 ,  5F101BA26 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BH01 ,  5F101BH12 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA12 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140CB08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強誘電体薄膜被覆基板及びその製造方法及び強誘電体薄膜被覆基板によって構成された不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-017909   出願人：シャープ株式会社
• 誘電体薄膜の製造方法及びそれを用いた強誘電体記憶素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-141749   出願人：シャープ株式会社