特許
J-GLOBAL ID：200903051983190706

半導体装置

発明者：
谷 孝行

谷 孝行 について

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兵藤 治雄

兵藤 治雄 について

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渋谷 隆生

渋谷 隆生 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-329550
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156434
出願日： 1998年11月19日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 実装面積を縮小した小型のパッケージを得ると共に、電極の極性表示マークを設け、該極性表示の刻印が薄形化を阻害しない半導体装置を提供する。【解決手段】 基板21を準備する。各搭載部20にはアイランド部24とリード部25を形成し、スルーホールを介して裏面側の外部電極30と接続する。アイランド部24上に半導体チップ26を固定し、電極パッド27とリード部25とをボンディングワイヤ28で接続する。基板21上を樹脂層32で被覆して半導体チップ26を封止する。裏面電極30は左右(上下)に対象の配置とする。ボンディングワイヤ28が通過しない部分の樹脂層32表面に、外部電極30の極性を示す刻印40を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の上にアイランド部とリード部とを形成し、前記アイランド部の上に半導体チップを固着し、前記半導体チップの電極パッドと前記リード部とをボンディングワイヤで接続し、前記絶縁基板に裏面側に、前記アイランド部又は前記リード部に電気的に接続された外部電極を、左右対称になるように配置し、前記半導体素子を被覆するように前記絶縁基板の上を樹脂層で被覆した半導体装置であって、前記樹脂層の表面に、前記外部電極の極性を示す極性表示マークを形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/28 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/00
FI (3件)：
H01L 23/28 H ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/00 A
Fターム (10件)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA05 ,  4M109DA07 ,  4M109GA08 ,  4M109GA10 ,  5F044AA05 ,  5F044AA20 ,  5F044JJ01 ,  5F044JJ03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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