半導体基板および半導体薄膜ならびにそれらの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-216817
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067616
出願日： 1997年08月11日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】不純物汚染量を減少させることができる半導体基板および半導体薄膜ならびにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 p型シリコン単結晶よりなる半導体基板11の表面に陽極化成によって多孔質層12を形成する。陽極化成の電解液には、フッ酸とIPAとを含む混合液、あるいはフッ酸と過酸化水素水とを含む混合液、あるいはフッ酸とキレート化合物とを含む混合液、あるいはフッ酸と界面活性剤とを含む混合液を用いる。これにより多孔質層12の汚染は少なくなる。多孔質層12の上にはシリコン単結晶よりなる半導体薄膜13をエピタキシャル成長させる。半導体薄膜13の上には樹脂フィルムが張り付けられ、多孔質層12において基板本体11から分離される。

請求項（抜粋）：

フッ化水素とイソプロピルアルコールとを含む混合液を用いた陽極化成により多孔質化された多孔質層を備えたことを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/02 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/02 B , H01L 21/316 T

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体基体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-264386 出願人：キヤノン株式会社
半導体基材の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-292257 出願人：キヤノン株式会社
半導体基材の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-292258 出願人：キヤノン株式会社

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