特許
J-GLOBAL ID：200903055442761307
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-301252
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186342
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 結晶性珪素膜を用いたTFTのしきい値を、正(+)側にシフトさせ、Nチャネル型のTFTにおいてはノーマリオフを呈するようする。また、S値を低減し、移動度を向上させる。【解決手段】 水素を含有する雰囲気中にて、非単結晶珪素膜にレーザービームを照射して、レーザアニールを行い、結晶性珪素膜を得る。さらに、レーザーアニール工程と、ゲイト絶縁膜となる絶縁膜の形成工程を連続して行う。これにより、チャネル形成領域の水素閉じ込めと、ゲイト絶縁膜とチャネル形成領域との界面とを良好にすることができ、しきい値制御、S値の低減、移動度の向上を図ることができる。また、ゲイト絶縁膜となる絶縁膜として、窒化珪素膜または窒化珪素膜を含む多層膜とすることで、水素の閉じ込めを効果的にする。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に設けられた非単結晶珪素膜を、水素雰囲気中でレーザーアニールする第1の工程と、前記非単結晶珪素膜上に、ゲイト絶縁膜となる絶縁膜を形成する第2の工程とを有し、前記第1の工程と前記第2の工程とが連続して行われることを特徴する半導体装置の作製方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 627 B
, H01L 29/78 627 E
