開環メタセシス共重合体水素添加物およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-340020
公開番号（公開出願番号）：特開2005-187804
出願日： 2004年11月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】本発明は、膜形成性が良く半導体微細加工用フォトレジスト膜として利用しやすい重合体を提供する。【解決手段】少なくとも一般式[3]および/または一般式[4]の構造単位を含み、重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnとの比(Mw/Mn)が2.0より大きく5.0より小さいことを特徴とする開環メタセシス重合体水素添加物。【化1】【化2】(R8〜R11、R13〜R16水素原子または炭素数1〜10のアルキル基、X2、X3は-O-または-CR122-(R12は水素原子または炭素数1〜10のアルキル基)、Y1、Y2は一方が-(C=O)-であり、他方は-CR182-(R18は水素原子または炭素数1〜10のアルキル基)、m、nは0または1〜3の整数)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式[1]

IPC (3件)：

C08G61/06 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (3件)：

C08G61/06 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (25件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA10 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB41 , 4J032CA32 , 4J032CB03 , 4J032CB12 , 4J032CC03 , 4J032CD02 , 4J032CD03 , 4J032CD04 , 4J032CD09 , 4J032CE03 , 4J032CE05 , 4J032CF01 , 4J032CF03 , 4J032CG06

引用特許：

出願人引用 (5件)

WO 97/33198号公報
レジスト組成物およびその利用
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-063775 出願人：日本ゼオン株式会社
レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-049874 出願人：富士通株式会社

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