特許
J-GLOBAL ID：200903082282479291
レジスト組成物およびその利用
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-063775
公開番号（公開出願番号）：特開平9-230595
出願日： 1996年02月26日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 ArFエキシマレーザーなどの遠紫外線、X先、電子線などの荷電粒子線といった放射線を用いる半導体素子の超微細加工に有用なレジストとして好適なレジスト組成物を提供する。【解決手段】 酸不安定性構造が基体樹脂に担持されている少なくとも1種類の樹脂(A)と、光感応性酸発生物質(B)とを必須成分とするレジスト組成物であって、樹脂(A)の基体樹脂が多環式ポリオレフィン樹脂であることを特徴とするレジスト組成物。
請求項（抜粋）：
酸不安定性構造が基体樹脂に担持されている少なくとも1種類の樹脂(A)と、光感応性酸発生物質(B)とを必須成分とするレジスト組成物であって、樹脂(A)の基体樹脂が多環式ポリオレフィン樹脂であることを特徴とするレジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/033
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 501
, H01L 21/027
G03F 7/033
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 501
, H01L 21/30 502 R
