磁気記憶素子、磁気記憶装置および携帯端末装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-095976
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299574
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】磁気記憶素子或いは磁気記憶装置の書込み時の消費電力、クロストーク、EMの改善を図る。【解決手段】2つの書込み線2,3を少なくともTMRセル1近傍において平行に配置し、TMRセル1の磁化容易軸をこれと45°傾けて配置する。2つの書込み線2,3には少なくともTMRセル1近傍において、外部磁場の影響を遮断する磁気シールド4を備える。

請求項（抜粋）：

第1の書き込み線と、前記第1の書込み線の直上に備えられ、少なくとも1つのトンネルバリア層と、少なくとも2つの強磁性層と、少なくとも1つの反強磁性層とを有し、磁化容易軸が前記第1の書き込み線と略45°の角度を有する強磁性トンネル接合膜と、前記強磁性トンネル接合膜の上面に接続され、少なくとも前記強磁性トンネル接合膜の近傍で前記第1の書き込み線と平行な第2の書き込み線と、を具備することを特徴とする磁気記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (10件)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA11 , 5F083GA30 , 5F083JA36 , 5F083JA60 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083PR21 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (11件)

磁気メモリ、磁気メモリの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-182154 出願人：シャープ株式会社
メモリセル装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-512211 出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
情報記録媒体とその記録方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-229532 出願人：セイコーエプソン株式会社

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