磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-325124
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158766
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】R-Hカーブのシフトを極力低減して、書き込み電流のアンバランスによる消費電力増大や非選択セルの誤書き込みを解決できる、二重接合TMR素子構造の磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】第1の磁化固着層と、第1のトンネルバリア層と、第1の強磁性層、非磁性層および第2の強磁性層を含む磁化自由層と、第2のトンネルバリア層と、第2の磁化固着層とを有し、第1および第2の磁化固着層の磁化の向きが互いに反対向きであり、第1の強磁性層と前記第2の強磁性層とが非磁性層を介して反強磁性結合し、第1および第2の強磁性層のうち一方の磁化が他方の磁化よりも大きく、第1および第2の磁化固着層のうち一方の磁化が他方の磁化よりも大きく、磁化の大きい磁化固着層は第1および第2の強磁性層のうち磁化の小さい強磁性層に近い側に形成されている磁気抵抗効果素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の磁化固着層と、第1のトンネルバリア層と、第1の強磁性層、非磁性層および第2の強磁性層を含む磁化自由層と、第2のトンネルバリア層と、第2の磁化固着層とを有し、前記第1および第2の磁化固着層の磁化の向きが互いに反対向きであり、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層とが前記非磁性層を介して反強磁性結合し、前記第1および第2の強磁性層のうち一方の磁化が他方の磁化よりも大きく、前記第1および第2の磁化固着層のうち一方の磁化が他方の磁化よりも大きく、磁化の大きい磁化固着層は前記第1および第2の強磁性層のうち磁化の小さい強磁性層に近い側に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (2件)：

H01L43/08 , H01L27/105

FI (2件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447

Fターム (9件)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA15 , 5F083JA02 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-265663 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-069992 出願人：シャープ株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-322041 出願人：株式会社東芝

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