特許
J-GLOBAL ID:200903052134048420

ポリシロキサン、その製造方法およびプロトン伝導性材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-289215
公開番号(公開出願番号):特開2002-097272
出願日: 2000年09月22日
公開日(公表日): 2002年04月02日
要約:
【要約】【課題】自立性のある膜材料となり、プロトン伝導性に優れ、高温乾燥雰囲気下でもプロトン伝導性の低下の小さいポリシロキサン、この製造法及びプロトン伝導性材料を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表されるシラン化合物(A)、下記一般式(2)で表されるシラン化合物(B)、およびリン酸および硫酸のうちから選ばれる少なくとも1種の酸成分(C)との混合物を、加水分解し縮合し、必要に応じて100〜300°Cで加熱処理することにより得られるポリシロキサン。R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(式中、R1は1価の官能基、R2は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)R3bSi(OR2)4-b ・・・・・(2)(式中、R3は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基を示し、R2は1価の有機基、bは0〜2の整数を示す。)上記ポリシロキサンからなるプロトン伝導性材料。
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表されるシラン化合物(A)と、下記一般式(2)で表されるシラン化合物(B)と、リン酸および硫酸のうちから選ばれる少なくとも1種の酸成分(C)との混合物を、加水分解し縮合し、必要に応じて100〜300°Cで加熱処理することにより得られることを特徴とするポリシロキサン。R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(式中、R1は1価の官能基、R2は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)R3bSi(OR2)4-b ・・・・・(2)(式中、R3は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基を示し、R2は1価の有機基、bは0〜2の整数を示す。)
IPC (3件):
C08G 77/08 ,  H01B 1/06 ,  H01B 1/12
FI (3件):
C08G 77/08 ,  H01B 1/06 A ,  H01B 1/12 Z
Fターム (23件):
4J035BA01 ,  4J035BA11 ,  4J035CA001 ,  4J035CA072 ,  4J035CA092 ,  4J035CA112 ,  4J035CA132 ,  4J035CA142 ,  4J035CA152 ,  4J035CA182 ,  4J035CA202 ,  4J035CA262 ,  4J035CA27N ,  4J035CA272 ,  4J035EA01 ,  4J035EB02 ,  4J035EB03 ,  4J035HA06 ,  4J035LA05 ,  4J035LB20 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE01
引用特許:
審査官引用 (4件)
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