希土・バリウム・銅・酸化物(REBCO)薄膜成長のための高スループットのex-situ方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-545784
公開番号（公開出願番号）：特表2007-515053
出願日： 2004年12月14日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

本発明は、緩衝金属基板テープの連結するレングス上にREBCOなどの超伝導薄膜のex-situ形成のための高スループットのシステムを提供する。緩衝金属基板テープの上部は、希土、バリウム、及び銅の先駆物質が、電子ビーム蒸発及びMODなどの数々の技術を介して堆積される。これらの先駆物質は、処理チャンバ内で加熱され、水蒸気に導入されると、緩衝層に機能的超伝導薄膜エピタキシャルを形成するために分解する。シャワーヘッドと、長く幅の広い堆積範囲の創造のために設計された基板加熱装置を有する有機金属化学気相成長法(MOCVD)反応炉といったチャンバは、該製法に良く適している。チャンバは、反応による副産物の効率的な汲み出しのために配置された排気ポートを含む。チャンバは、壁が加熱されない冷水壁式、または壁が加熱される加熱壁式のものでもよい。

請求項（抜粋）：

長さの長い層状超伝導体を製造するための製法であって、 REBa2Cu3O7の先駆物質で被覆され、そのREは希土である緩衝金属基板テープを提供すること、該テープを、処理チャンバ内の先駆物質変換・薄膜成長ゾーンを通して移動させること、シャワーヘッドを介して、酸素と水蒸気を前記先駆物質変換・薄膜成長ゾーンに導入すること、および被覆された基板を、約700°Cと約800°Cの間の範囲の温度に加熱することからなり、前記処理チャンバ内の気圧は約1トールと約760トールの間の範囲であり、前記基板は、前記先駆物質が緩衝層まで超伝導コーティングエピタキシャルに変換するのに十分な期間前記プロセスゾーンに存在する、ことを特徴とする製法。

IPC (3件)：

H01B 12/06 , C23C 26/00 , H01B 13/00

FI (3件)：

H01B12/06 , C23C26/00 C , H01B13/00 565D

Fターム (20件)：

4K044AA03 , 4K044AA06 , 4K044AB02 , 4K044BA12 , 4K044BB01 , 4K044BC14 , 4K044CA53 , 4K044CA62 , 4K044CA71 , 5G321AA02 , 5G321AA04 , 5G321BA01 , 5G321BA03 , 5G321CA04 , 5G321CA21 , 5G321CA24 , 5G321CA27 , 5G321DB35 , 5G321DB39 , 5G321DB41

引用特許：

出願人引用 (7件)

米国特許第5,416,063号明細書
米国特許第4,962,085号明細書
米国特許第5,278,138号明細書

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審査官引用 (5件)

超電導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-136185 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
テープ状酸化物超電導体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-105037 出願人：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 昭和電線電纜株式会社, 株式会社フジクラ, 財団法人鉄道総合技術研究所
酸化物超電導原料溶液の塗布装置及びその塗布方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-342392 出願人：昭和電線電纜株式会社, 財団法人国際超電導産業技術研究センター

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