特許

J-GLOBAL ID：200903052273471141

電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法

発明者： 柳田 みゆき ,  佐藤 陽
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (3件)： 前田 均 ,  西出 眞吾 ,  圓尾 龍哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-162796
公開番号（公開出願番号）：特開2007-331958
出願日： 2006年06月12日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：

【課題】誘電体層を薄層化しても、誘電率と容量温度特性とを両立できる誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。【解決手段】式ABO3(AはBaまたはBaおよびCa、BはTiまたはTiおよびZr)で表されるペロブスカイト構造を有する化合物を含む主成分と、Rの酸化物(RはY,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,YbおよびLuから選ばれる少なくとも1種)を含む第4副成分とを含有する誘電体磁器組成物の製造方法であって、主成分原料を第1および第2主成分原料とに分け、第1主成分原料と第4副成分原料の一部とを予め反応させ、反応済原料を得る工程と、反応済原料に、第2主成分および残りの第4副成分原料を添加する工程とを有し、第1および第2主成分のモル数をn1、n2モルとした場合に、0.5≦n1/(n1+n2)≦1である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

一般式ABO3(ただし、Aは、Ba単独またはBaおよびCaの複合であり、Bは、Ti単独またはTiおよびZrの複合である)で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む主成分と、 Rの酸化物(ただし、RはY,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,YbおよびLuから選ばれる少なくとも1種)を含む第4副成分と、を含有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、 前記主成分の原料を、第1主成分の原料と、第2主成分の原料と、の2つに分ける工程と、 前記第1主成分の原料と、前記誘電体磁器組成物に含有されることとなる前記第4副成分の原料の一部と、を予め反応させ、反応済み原料を得る工程と、 前記反応済み原料に、前記第2主成分および前記誘電体磁器組成物に含有されることとなる残りの前記第4副成分の原料を添加する工程と、を有し、 前記第1主成分のモル数をn1モル、前記第2主成分のモル数をn2モルとした場合に、前記第1主成分および前記第2主成分の合計モル数に対する前記第1主成分の比が、0.5≦n1/(n1+n2)≦1であることを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。

IPC (5件)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 ,  H01G 4/12 ,  H01G 4/30 ,  H01B 19/00

FI (5件)：

C04B35/46 D ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/30 301E ,  H01B19/00

Fターム (66件)：

4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA16 ,  4G031AA17 ,  4G031AA18 ,  4G031AA19 ,  4G031AA28 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031GA01 ,  4G031GA05 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AD04 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AH01 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E001AJ03 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC40 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082GG28 ,  5E082LL02 ,  5E082PP03 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB08 ,  5G303CB15 ,  5G303CB22 ,  5G303CB26 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CB43 ,  5G303CD01 ,  5G303CD04 ,  5G303DA05 ,  5G333AB12 ,  5G333CA03 ,  5G333DA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 積層型セラミックチップコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-279868   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 誘電体磁器組成物および電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-196257   出願人：TDK株式会社

審査官引用 (7件)

• 誘電体磁器組成物の製造方法と誘電体層含有電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-250156   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 誘電体磁器組成物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-252586   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 誘電体磁器組成物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-304760   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 誘電体磁器組成物および電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-006649   出願人：TDK株式会社
• 誘電体磁器及び積層型電子部品並びに積層型電子部品の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-229696   出願人：京セラ株式会社
• 誘電体磁器及び積層型電子部品並びに積層型電子部品の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-260267   出願人：京セラ株式会社
• 誘電体磁器および積層型電子部品、並びに積層型電子部品の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-426885   出願人：京セラ株式会社