特許
J-GLOBAL ID:200903052286914549

位相シフトマスクおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-006742
公開番号(公開出願番号):特開平8-194303
出願日: 1995年01月19日
公開日(公表日): 1996年07月30日
要約:
【要約】【目的】 容易な製造工程により高寸法精度の転写パターンが得られる位相シフトマスクおよびその製造方法を提供する。【構成】 透明材料からなるマスク基板1と、マスク基板1の主面の選択的領域に設けられている複数の開口部を有するマスクパターンとしての遮光膜2と、遮光膜2における複数の前記開口部の少なくとも1個以上の開口部におけるマスク基板1の主面に設けられている位相シフタ用の溝10とを有し、位相シフタ用の溝10がドライエッチングを行っている第1のエッチング工程とウエットエッチングを行っている第2のエッチング工程により形成されていると共に位相シフタ用の溝10の底面は第2のエッチング工程により形成されている位相シフトマスクとすることにより、高寸法精度の転写パターンとなる位相シフタ用の溝10を有する位相シフトマスクとなる。
請求項(抜粋):
透明材料からなるマスク基板と、前記マスク基板の主面の選択的領域に設けられている複数の開口部を有するマスクパターンとしての遮光膜と、前記遮光膜における複数の前記開口部の少なくとも1個以上の開口部における前記マスク基板の主面に設けられている位相シフタ用の溝とを有する位相シフトマスクであって、前記位相シフタ用の溝は複数の異なるエッチング工程により形成されていると共に前記位相シフタ用の溝の底面は前記エッチング工程における最終のエッチング工程により形成されていることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件):
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
引用特許:
審査官引用 (12件)
  • 特開平4-155340
  • 位相シフトマスク及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-215786   出願人:日本電気株式会社
  • 位相シフトマスクの製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-332832   出願人:凸版印刷株式会社
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