特許

J-GLOBAL ID：200903052290826247

半導体デバイスとその製造方法

発明者： ウェン・リン・マーガレット・フアン ,  イン-チェン・テセン
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-111455
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284736
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 非線形寄生効果を有する半導体デバイスとその製造方法が提供される。【解決手段】半導体デバイス120は、silicon-on-insulator(SOI)基板135内に形成される。この半導体デバイス120は、ゲート構造129によって制御されるチャネル領域126を有する。このチャネル領域126は、チャネル領域126が、ゲート構造129の下に在る場所においては、本質的に均一のドーピング分布を有する。これにより、SOI基板内に形成される従来型電界効果トランジスタ(FET)に生じることが多い寄生チャネル領域が排除される。したがって、本発明の半導体デバイス120は、従来型FETデバイスに生じることが多い「キンク」問題には悩まされない。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス(120)であって:表面を有するSOI基板(135);前記SOI基板(135)の前記表面から伸延し、かつ第1導電型である、ところの第1ドーピング領域(128);前記SOI基板(135)の前記表面から伸延する前記第1導電型の第2ドーピング領域(127)であって、前記第2ドーピング領域(127)は、前記第1ドーピング領域(135)から離間し、それによってチャネル領域(126)が設けられ、前記チャネル領域(126)は、前記チャネル領域(126)に亘って実質的に一定である第2導電型のドーピング濃度を有する、ところの第2ドーピング領域;前記SOI基板(135)内の前記第2導電型の第3ドーピング領域(131)であって、当該第3ドーピング領域(131)は、前記SOI基板(135)の前記表面から伸延しており、かつ前記チャネル領域(126)と電気的に結合されており、さらに、前記第1ドーピング領域(128)と前記第2ドーピング領域(127)とのPN接合を形成する、第3ドーピング領域;および、前記チャネル領域(126)の上に重畳されるゲート構造(129);によって構成されることを特徴とする半導体デバイス。

FI (5件)：

H01L 29/78 626 B ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 618 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-263369
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-210870   出願人：日本電信電話株式会社
• SOI構造MOS型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-027597   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-263096   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-263369