化合物半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-217046
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100642
出願日： 2001年07月17日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】高速化合物半導体装置において、ゲート耐圧を増大させ、大電力動作を可能にする。【解決手段】ゲート電極としてドレイン方向に延在する延在部を有するガンマ型電極を使い、前記電極延在部直下のパッシベーション膜およびキャップ層の厚さを、前記ゲート電極のドレイン端近傍の等ポテンシャル面が、前記延在部に対応して変形するように設定する。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された電子走行層と、前記電子走行層上に形成されたキャップ層と、前記キャップ層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜および前記キャップ層を貫通するゲートリセス開口部と、前記ゲートリセス開口部中に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の第1の側において、前記キャップ層表面から前記チャネル層まで延在するn型のソース領域と、前記ゲート電極の第2の側において、前記キャップ層表面から前記チャネル層まで延在するn型のドレイン領域と、前記ソース領域に電気的にコンタクトするソース電極と、前記ドレイン領域に電気的にコンタクトするドレイン電極とを備え、前記ゲート電極は、前記絶縁膜上を前記ゲートリセス開口部から前記第2の側の方向に延在する延在部を有するΓ型形状を有し、前記絶縁膜と前記キャップ層の合計の厚さは、前記ゲート電極の延在部直下における電界が、前記キャップ層中において前記基板主面に対して垂直な方向に作用する実質的な大きさの成分を有するように設定されることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 B , H01L 29/80 H

Fターム (23件)：

5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK06 , 5F102GL05 , 5F102GM06 , 5F102GM08 , 5F102GN05 , 5F102GQ02 , 5F102GQ03 , 5F102GS01 , 5F102GS04 , 5F102GS06 , 5F102GT03 , 5F102GT05 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC16 , 5F102HC21 , 5F102HC30

引用特許：

審査官引用 (5件)

電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-268394 出願人：日本電気株式会社
電界効果型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-136606 出願人：富士通株式会社
特開昭60-145669

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