特許
J-GLOBAL ID:200903052349358706
光電変換素子
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
梶山 佶是 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-092803
公開番号(公開出願番号):特開2001-283942
出願日: 2000年03月30日
公開日(公表日): 2001年10月12日
要約:
【要約】【課題】 表面積の大きな半導体層を配設することで増感色素の担持量を増やし、その結果、大きな光電流出力を得ることができる光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記半導体層を形成する半導体粒子が細孔を有し、該半導体粒子はその外表面及び前記細孔内に増感色素を担持している。
請求項(抜粋):
少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記半導体層を形成する半導体粒子は細孔を有し、該半導体粒子はその外表面及び前記細孔内に増感色素を担持していることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
Fターム (13件):
5F051AA14
, 5F051FA19
, 5F051HA20
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032CC11
, 5H032CC16
, 5H032EE04
, 5H032EE07
, 5H032EE08
, 5H032EE16
, 5H032HH01
, 5H032HH04
引用特許:
前のページに戻る