半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143529
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321716
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】SOI基板にトレンチ分離を適用した時、素子形成領域に閉じ込められた金属汚染物がゲート耐圧等の素子特性を劣化させることを防止する。【解決手段】トレンチ5の側壁にポリシリコン12を形成し、このポリシリコン12に素子形成領域内の金属汚染物をゲッタリングさせる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、素子分離領域における前記半導体基板の表面領域に設けられた溝と、前記溝の側面に設けられた多結晶シリコン層と、前記溝の内部に前記多結晶シリコン層を介して埋め込み形成された絶縁層と、を備えた半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/762 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/76 D , H01L 27/12 B , H01L 27/12 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

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