特許

J-GLOBAL ID：200903052405430148

基板およびその製造方法

発明者： 天野 浩 ,  上山 智 ,  岩谷 素顕 ,  木下 博之 ,  塩見 弘 ,  佐々木 信
出願人/特許権者： 株式会社シクスオン ,  関西電力株式会社 ,  住友電気工業株式会社 ,  三菱商事株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-091070
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277254
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】 高品質かつIII族窒化物半導体のへテロ接合面とc軸が直交せず、傾いて成長した窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】 本発明の窒化物半導体基板は、4H-SiC製の第1の基板または6H-SiC製の第1の基板上にIII族窒化物半導体を成長させた第2の基板であって、第1の基板のc軸と窒化物半導体の成長方向とのなす角θが5°以上85°以下であることを特徴とする。また、本発明の第1のSiC製基板は、かかる窒化物半導体基板に使用することを特徴とする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

4H-SiC製の第1の基板上にIII族窒化物半導体を成長させた第2の基板であって、第1の基板のc軸と窒化物半導体の成長方向とのなす角θが5°以上85°以下であることを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (5件)：

H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01L29/80 H

Fターム (22件)：

5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA61 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-338419   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-253784   出願人：三洋電機株式会社