特許

J-GLOBAL ID：200903052485184096

有機トランジスタ

発明者： 中塚 正勝
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-059381
公開番号（公開出願番号）：特開2009-218333
出願日： 2008年03月10日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に[n]フェナセン化合物(但し、nは5〜11の整数を表す)を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に[n]フェナセン化合物(但し、nは5〜11の整数を表す)を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05

FI (3件)：

H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A

Fターム (57件)：

5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215748   出願人：旭化成工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 縮合多環式水素系有機薄膜の着接方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-078220   出願人：科学技術振興事業団
• 有機半導体膜の製造方法および有機デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-112273   出願人：国立大学法人京都工芸繊維大学, 国立大学法人京都大学, 日本電信電話株式会社, パイオニア株式会社, 株式会社日立製作所, 三菱化学株式会社, ローム株式会社