特許
J-GLOBAL ID：200903052569418670

半導体電界吸収型変調器集積レーザモジュール及びそれを用いた光伝送装置

発明者：
湯浅 堂司

湯浅 堂司 について

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直江 和彦

直江 和彦 について

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金子 隆一

金子 隆一 について

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五明 博之

五明 博之 について

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魚見 和久

魚見 和久 について


出願人/特許権者：
日本オプネクスト株式会社

日本オプネクスト株式会社 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074576
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280662
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】半導体電界吸収型変調器集積型素子をJunction-Down法により実装する際に、素子の接着強度を高め、かつ高周波特性を改善する。【解決手段】レーザ電極7及び電界吸収型変調器駆動電極8以外に、Au、Ti、Pt等の金属材料で形成された電極パターン(スタッド電極)9を設け、そのスタッド部と駆動電極で実装基板に接着させることにより接着強度を高めると同時に、スタッド部を接地することで寄生容量を低減し、高周波特性を向上させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に半導体レーザと、光導波路と上記レーザの前方に電界吸収型変調器とを集積化した半導体電界吸収型変調器集積レーザの上記光導波路が形成された側の表面に、上記半導体レーザに電流を注入するレーザ電極と、前記電界吸収型変調器に電圧を加える変調器電極と、上記変調器電極の近くに、金属材料のスタッド電極とを備え、上記レーザ電極、上記変調器電極及び上記スタッド電極とを実装基板上に形成された電極パターンに接着して構成されたことを特徴とする半導体電界吸収型変調器集積レーザモジュール。
IPC (4件)：
H01S 5/026 616 ,  G02B 6/122 ,  G02F 1/017 506 ,  H01S 5/022
FI (4件)：
H01S 5/026 616 ,  G02F 1/017 506 ,  H01S 5/022 ,  G02B 6/12 B
Fターム (18件)：
2H047KA04 ,  2H047MA07 ,  2H047RA08 ,  2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA31 ,  2H079HA22 ,  2H079KA18 ,  5F073AA61 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AB21 ,  5F073CA12 ,  5F073CB23 ,  5F073FA13
引用特許：
審査官引用 (5件)
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