特許
J-GLOBAL ID：200903001008443205

半導体導波路素子及びその製造方法

発明者：
山田 光志

山田 光志 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-291890
公開番号（公開出願番号）：特開2001-117058
出願日： 1999年10月14日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 許容入力光パワーの大きい半導体導波路素子を提供する。【解決手段】 下側クラッド層20と、上側クラッド層40と、これらに挟まれた光導波層30と、下側電極80及び上側電極70とを有し、光導波層30の端面から光を入射させる半導体導波路素子であって、上側クラッド層40が、ストライプ状の幅狭部分41と、この幅狭部分41よりも光が入射される端面に近い位置に形成されており、幅狭部分41よりも広い幅を持つ幅広部分42とを有する。
請求項（抜粋）：
下側クラッド層と、上側クラッド層と、上記下側クラッド層と上記上側クラッド層とに挟まれた光導波層と、上記下側クラッド層、上記光導波層、及び上記上側クラッド層を含む積層構造に電圧を印加する下側電極及び上側電極と、を有し、上記光導波層の端面から光を入射させる半導体導波路素子において、上記上側クラッド層が、ストライプ状の幅狭部分と、上記幅狭部分よりも光が入射される端面に近い位置に形成されており、上記幅狭部分よりも広い幅を持つ幅広部分と、を有することを特徴とする半導体導波路素子。
IPC (3件)：
G02F 1/025 ,  G02B 6/12 ,  H01S 5/22
FI (3件)：
G02F 1/025 ,  H01S 5/22 ,  G02B 6/12 J
Fターム (20件)：
2H047KA04 ,  2H047KA13 ,  2H047KA15 ,  2H047NA04 ,  2H047QA02 ,  2H047RA08 ,  2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA02 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EA22 ,  2H079EA27 ,  2H079EA28 ,  5F073AA22 ,  5F073AA89 ,  5F073CB11
引用特許：
審査官引用 (8件)
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