光電変換半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-063195
公開番号（公開出願番号）：特開2001-209017
出願日： 2000年03月08日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】光通信用に用いられる広帯域に亘って良好な光電変換特性を有した光電変換半導体装置を提供することである。【解決手段】光電変換素子12と高周波電気信号回路14の端部14cとを近接して配置し、この端部14cの光電変換素子12に最も近接する部位と光電変換素子12の電気信号端子12cとを導電体16cを介して接続し、かつ光電変換素子12の電気信号端子12cと他の一端が接地された抵抗性整合回路18とを接続するとともに、高周波電気信号回路14の端部14cの上記部位の接続点14dに、この接続点14dから見た光電変換素子側のインピーダンスが抵抗性整合回路18の規格化インピーダンスとなるように定められたインピーダンスを有する容量性整合回路20を、接続したものである。

請求項（抜粋）：

光電信号変換を行う半導体素子と、この半導体素子に近接する端部を有し、この端部であって上記半導体素子が有する電気信号端子に最も近接する部位を接続点とし、導電体を介して上記電気信号端子に接続された高周波電気信号回路と、導電体を介して一端が半導体素子の上記電気信号端子と接続され他の一端が接地された抵抗性整合回路と、高周波電気信号回路の端部の上記接続点に接続され、上記接続点から見た半導体素子側のインピーダンスが上記抵抗性整合回路の規格化インピーダンスとなるように定められたインピーダンスを有する容量性整合回路と、を備えた光電変換半導体装置。

IPC (4件)：

G02F 1/015 502 , G02F 1/015 505 , H01L 31/10 , H01S 5/026

FI (4件)：

G02F 1/015 502 , G02F 1/015 505 , H01S 5/026 , H01L 31/10 G

Fターム (23件)：

2H079AA02 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079CA04 , 2H079EA07 , 2H079EB04 , 2H079FA03 , 2H079HA14 , 2H079KA18 , 5F049NA03 , 5F049NB01 , 5F049TA01 , 5F049TA06 , 5F049UA07 , 5F049UA13 , 5F073AB12 , 5F073AB21 , 5F073BA01 , 5F073EA14 , 5F073FA11 , 5F073FA27 , 5F073GA02 , 5F073GA38

引用特許：

審査官引用 (10件)

光半導体チップキャリア
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-079317 出願人：株式会社日立製作所
マイクロ波帯終端器
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-010232 出願人：株式会社日立製作所
発光素子モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-013594 出願人：三菱電機株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

EA変調器付LDモジュールの整合回路による特性改善

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