特許
J-GLOBAL ID:200903078524450911

光伝送装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 明夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-006231
公開番号(公開出願番号):特開2000-208859
出願日: 1999年01月13日
公開日(公表日): 2000年07月28日
要約:
【要約】【課題】温度変動による光波長の変動は少なく、同時に外部変調器の寄生容量の小さくし、光源及び外部変調器をもつ光素子集積体を機械的に安定して実装した光送信装置を得る。【解決手段】半導体レーザの出力光を外部変調する変調器を備えた光学素子を有する光伝送装置であって、、上記半導体レーザとを無変調光を放出する端面発光型半導体レーザとし、上記半導体レーザと変調器とを集積体106で構成し、集積体106の導波路直上に形成された半導体レーザ及び変調器それぞれの制御電極が半田材料を介して、光素子実装基板105に分離して形成されたレーザ駆動用電極123及び光変調器駆動用電極125にジャンクション実装する。【効果】外部変調器をモノリシック集積した半導体レーザを低容量性を損なうことなく、機械的に安定したジャンクションダウン実装することができる。波長標準チャンネルに適合する高密度波長多重光通信に好適な光伝送装置を高歩留まりで実現できる。
請求項(抜粋):
半導体レーザと、上記半導体レーザの出力光を伝送光ファイバに結合する導波路と、上記導波路上に形成され上記半導体レーザの出力光を変調する外部変調器をもつ光伝送装置において、上記半導体レーザ、上記導波路及び上記外部変調器が単一基板上に半導体光素子集積体として構成され、上記半導体レーザ及び上記外部変調器の制御電極が半田材料を介して上記半導体レーザ、上記外部変調器をそれぞれ独立に電気駆動するために実装基板上に分離形成された表面電極に固着されていることを特徴とした光伝送装置。
IPC (3件):
H01S 5/022 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02
FI (2件):
H01S 3/18 612 ,  H04B 9/00 W
Fターム (24件):
5F073AA64 ,  5F073AA83 ,  5F073AB12 ,  5F073AB21 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073AB30 ,  5F073BA02 ,  5F073CA12 ,  5F073CB23 ,  5F073EA03 ,  5F073FA05 ,  5F073FA06 ,  5F073FA13 ,  5F073FA22 ,  5F073FA23 ,  5F073FA24 ,  5K002AA07 ,  5K002BA02 ,  5K002BA07 ,  5K002BA13 ,  5K002BA31 ,  5K002CA14 ,  5K002DA02
引用特許:
審査官引用 (11件)
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