半導体レーザ素子及びその設計方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-076190
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154847
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】基本横モード発振で高光出力が可能な半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】第1導電型のクラッド層3と、活性層6と、第2導電型のクラッド層8、10と、電流通路を制限すると共に電流通路を形成する所定幅のストライプ状開口部を有し且つ第2導電型のクラッド層8、10よりバンドギャップが大きい電流ブロック層13、14と、を備える。活性層における開口部に対応する領域の実効屈折率と活性層における開口部の両側に対応する領域の実効屈折率の差Δn及び開口部の幅Wが所定の関係を満足するように設定される。実効屈折率の差Δnは、電流ブロック層のAl組成比及び第2導電型のクラッド層の開口部の両側部分での厚さを選択することにより設定される。

請求項（抜粋）：

第1導電型のクラッド層と、該第1導電型のクラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された第2導電型のクラッド層と、該第2導電型のクラッド層上に形成され、電流通路を制限すると共に電流通路を形成する所定幅のストライプ状開口部を有し、且つ前記第2導電型のクラッド層よりも大きいバンドギャップを有し前記第2導電型のクラッド層よりも小さな屈折率を有する電流ブロック層と、を備え、前記第2導電型のクラッド層は、平坦部と、前記平坦部上に形成されたストライプ状のリッジ部とを有し、前記リッジ部は前記電流ブロック層の前記開口部内に位置し、前記電流ブロック層は、前記平坦部上面及び前記リッジ部側面を覆うように形成され、前記活性層における前記開口部に対応する領域の実効屈折率と前記活性層における前記開口部の両側に対応する領域の実効屈折率との差Δn及び前記開口部の幅W[μm]が、Δn≧2×10-3W≦-1.6×103×Δn+9.3W≧3.0の関係を満足することを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-322482
半導体レーザ素子及びその設計方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-062265 出願人：三洋電機株式会社
歪量子井戸半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-070599 出願人：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社

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