特許

J-GLOBAL ID：200903052587829431

不揮発性光メモリ、光情報の記憶方法、及び光情報の読出方法

発明者： 川合 知二 ,  田中 秀和 ,  朴 影根 ,  李 恵よん ,  神吉 輝夫
出願人/特許権者： 大阪大学長
代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-010746
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228121
出願日： 2003年01月20日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】光情報を直接的に取り込んで記憶かつ読出を行うことを可能にした新規な不揮発性メモリを提供する。【解決手段】所定の基板11上において、半導体層12、強誘電体層13、及び光伝導体層14を順次に積層する。半導体層12上には、突出した中央部が強誘電体層13の下側に延在するようにして形成されたソース電極15及びドレイン電極16を設けるとともに、光導電層14上にはゲート電極17を設ける。強誘電体層13及び光伝導体層14は、不揮発性光メモリ10のゲート電極部を構成し、半導体層12は、不揮発性光メモリ10のチャネル部を構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

所定の基板上において、半導体層と、強誘電体層と、光伝導体層とが順次に積層されてなる不揮発性光メモリ。

IPC (6件)：

H01L27/10 ,  G11C13/04 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  G11C13/04 Z ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 444A

Fターム (10件)：

5F083FR05 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F101BA62 ,  5F101BC17 ,  5F101BE08

引用文献：

審査官引用 (2件)

• 光伝導体/強誘電体ヘテロ接合不揮発性光メモリの作製とその特性評価
• 強相関電子系Mn酸化物のFET作製と評価