特許
J-GLOBAL ID：200903052640245900

配線形成方法

発明者：
大岩 徳久

大岩 徳久 について

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井場 淳一郎

井場 淳一郎 について

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小島 章弘

小島 章弘 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079248
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274299
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】配線材料のコンタクト孔への埋め込みを容易にし、ステップカバレッジを改善する。【解決手段】配線層1上に形成された層間絶縁膜1にコンタクト孔を形成し、コンタクト孔が埋め込まれるように、層間絶縁膜1上に層間絶縁膜1よりもエッチング速度の速い絶縁材料からなるSOG膜3を形成してSOG膜3の表面を平坦化し、SOG膜3上にコンタクト孔の形成領域を含み、かつこの形成領域よりも広い開口部を有するレジストパターンを形成し、このレジストをマスクとして層間絶縁膜2とSOG膜3をエッチングして層間絶縁膜2に溝を形成すると同時にコンタクト孔をテーパ形状に加工し、溝及びコンタクト孔が埋め込まれるように層間絶縁膜2上に導電性材料を堆積し、層間絶縁膜2が露出するまで導電性材料を除去して平坦化する。
請求項（抜粋）：
層間絶縁膜に溝を形成すると共にテーパ形状のコンタクト孔を形成する工程と、前記溝及び前記コンタクト孔が埋め込まれるように前記層間絶縁膜上に導電性材料を堆積する工程と、前記層間絶縁膜が露出するまで前記導電性材料を除去して平坦化する工程とを具備してなることを特徴とする配線形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205
FI (4件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 U ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/88 K
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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