特許

J-GLOBAL ID：200903052644869356

半導体集積回路

発明者： 増田 哲
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-294939
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134450
出願日： 2002年10月08日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】多層配線構造の半導体集積回路の耐湿性、信頼性を向上させる。【解決手段】半導体集積回路の電極端子パッド10を、半導体集積回路表面に露出する部分を有する最上層の配線層14d、およびこの配線層14dとビア19によって電気的に接続された下層側の配線層18によって構成する。配線層14d,18間を接続するビア19は、これらの配線層14d,18間の領域であって配線層14dの表面露出部分に対応した領域にある有機系層間絶縁膜13cを囲うように形成する。これにより、電極端子パッド10の上層側の配線層14dに損傷が発生してむき出しとなった有機系層間絶縁膜13cに水が侵入した場合でも、下層側の配線層18およびビア19によってこれより先への水の侵入を防止することができ、半導体集積回路の耐湿性、信頼性を向上させることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に層間絶縁膜を用いて配線層を積層した多層配線構造を有する半導体集積回路において、 表面に露出する部分を有する第1の配線層と、前記第1の配線層と前記層間絶縁膜を挟んで形成された第2の配線層とが、前記第1の配線層と前記第2の配線層との間の領域であって前記第1の配線層の前記表面に露出する部分に対応する領域を囲うように形成されたビアによって電気的に接続された電極端子パッドを有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (4件)：

H01L21/88 T ,  H01L27/04 E ,  H01L27/04 H ,  H01L21/90 B

Fターム (39件)：

5F033GG01 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX05 ,  5F033XX18 ,  5F033XX27 ,  5F033XX37 ,  5F038BE07 ,  5F038BH20 ,  5F038CA05 ,  5F038CA10 ,  5F038CD02 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-052273   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体用ボンドパッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-254999   出願人：エルエスアイロジックコーポレーション
• 半導体装置のパッド構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-152465   出願人：三菱電機株式会社