特許

J-GLOBAL ID：200903052646835289

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 二宮 仁 ,  三浦 喜直 ,  川島 義也
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-142100
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300420
出願日： 2007年05月29日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：

【課題】従来の半導体装置では、コラム領域とゲート絶縁膜との距離が一定ではないことに起因してチャネルの厚みが不均一であるため、オン抵抗の上昇を抑制することが困難であった。【解決手段】半導体装置は、スーパージャンクション構造を有する半導体装置であって、半導体基板上に形成されたトレンチ内部に充填されたゲート電極と、周囲に前記ゲート電極が形成されたコラム領域とを有し、前記ゲート電極の延在する方向と前記コラム領域の端部は実質的に平行である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

スーパージャンクション構造を有する半導体装置であって、 半導体基板上に形成されたトレンチ内部に充填されたゲート電極と、 周囲に前記ゲート電極が形成されたコラム領域とを有し、 前記ゲート電極の延在する方向と前記コラム領域の外縁部は実質的に平行である半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336

FI (8件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-277562   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-358010   出願人：NECエレクトロニクス株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-122976   出願人：NECエレクトロニクス株式会社