特許
J-GLOBAL ID：200903067750476484

半導体装置及びその製造方法

発明者：
二宮 仁

二宮 仁 について

, 
三浦 喜直

三浦 喜直 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-358010
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165441
出願日： 2004年12月10日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 従来の、パワーMOSFETの構造ではスーパージャンクション構造を用いても素子の耐圧の向上が困難であった。【解決手段】 本発明のパワーMOSFETはスーパージャンクション構造を有する半導体装置であって、半導体基板上に形成されたトレンチ内部に埋め込まれたゲート電極と、表層に形成されたゲート電極金属膜と、前記ゲート電極と前記ゲート電極金属膜を接続するゲート電極プラグとを有する。これにより従来の一般的なパワーMOSFETに必要だったポリシリコン堆積層を形成する必要がない。つまり、素子活性部と外周部のコラム領域を同一の条件で形成できる。この結果、素子の耐圧を従来に比べて高めることが可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
スーパージャンクション構造を有する半導体装置であって、 半導体基板上に形成されたトレンチ内部に埋め込まれたゲート電極と、 表層に形成されたゲート電極金属膜と、 前記ゲート電極と前記ゲート電極金属膜を接続するゲート電極プラグとを有する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/04
FI (5件)：
H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 657C
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-383440   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
審査官引用 (6件)
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