特許
J-GLOBAL ID：200903052800613081
CVD処理チャンバのガス分配システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-583073
公開番号（公開出願番号）：特表2002-530860
出願日： 1999年11月04日
公開日（公表日）： 2002年09月17日
要約：
【要約】【課題】 フッ素および他のガスによるドームの汚染と、その結果として生じるプロセスドリフトの問題をなくした、基板上に膜を堆積する装置を提供する。【解決手段】 本発明は、処理チャンバと、処理チャンバ内に設けられる基板支持部材と、第1のガス入口と、第2のガス入口と、プラズマ発生器と、ガス排気口とを具備する基板上に膜を堆積するための装置を提供する。第1のガス入口は、チャンバの内面から第1の位置で第1のガスを供給し、第2のガス入口は、チャンバの内面から第1の距離より近い第2の位置で第2のガスを供給する。したがって、第2のガスは、チャンバの内面に隣接した位置でより高い分圧を発生するため、内面への第1のガスからの堆積を大幅に低減させる。本発明はまた、化学気相成長チャンバを提供するステップと、チャンバの内面から第1の距離にある第1のガス入口を介して第1のガスを導入するステップと、チャンバの内面から第2の距離にある第2のガス入口を介して第2のガスを導入し、第2のガスが、内面上に第1のガスからの堆積を生じさせないように、チャンバの内面に隣接した位置でより高い分圧を発生させるステップと、処理ガスのプラズマを発生させるステップとを含む基板上に膜を堆積するための方法を提供する。この代わりとして、第1のガスは、基板表面に対して第2のガスとは異なる角度で導入される。
請求項（抜粋）：
基板上に膜を堆積するための装置であって、 a)処理チャンバと、 b)前記チャンバの内面から第1の距離にあり、第1のガスを供給する第1のガス入口と、 c)前記チャンバの内面から第2の距離にあり、第2のガスを供給する第2のガス入口とを具備する装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 C
, C23C 16/455
4K030AA04
, 4K030AA06
, 4K030BA24
, 4K030BA44
, 4K030CA04
, 4K030EA06
, 4K030FA01
, 4K030JA03
, 4K030JA05
, 4K030LA15
, 5F045AA08
, 5F045AB31
, 5F045AB32
, 5F045AC01
, 5F045AC02
, 5F045AC11
, 5F045AC16
, 5F045BB15
, 5F045EB06
, 5F045EF02
, 5F045EF08
, 5F045EJ09
, 5F045EK07
