特許
J-GLOBAL ID：200903055775954528
薄膜トランジスタ用シングルチャンバCVDプロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-327116
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326589
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 汚染の問題を生じずに、同じCVDチャンバ内で、真性アモルファスシリコン層とドープアモルファスシリコン層とを連続して基板上へ堆積する改良方法を提供することを目的とする。【構成】本方法は、真性アモルファスシリコン層の堆積に先立ち、誘電絶縁材料の層を堆積する第1の堆積操作により、同じCVDチャンバ内で基板上に連続して堆積することにより行われる。TFT基板上に堆積された絶縁材料は、その前に行われた基板への堆積プロセスによってチャンバ壁面に残留した残留ドーパントを覆うに充分な残留絶縁材料をチャンバ壁面に被覆させるような厚さをもつべきである。このことにより、同じCVDチャンバ内で基板上に真性アモルファスシリコン層を堆積させる次の堆積プロセスに対してクリーンな環境を与える。
請求項（抜粋）：
化学気相堆積(CVD)チャンバ内に置かれた基板上に、真性アモルファスシリコン層とドーパントを含むドープアモルファスシリコン層とを連続して堆積する、前記ドーパントにより該真性アモルファスシリコン層を実質的に汚染しない堆積方法であって、基板上に充分な厚さの少なくとも1層の絶縁材料の層を堆積させるステップと、前記絶縁材料の層の上に、第1の所定の厚さを有する真性シリコンの層を堆積させるステップと、前記真性シリコンの層の上に、第2の所定の厚さを有するドープシリコンの層を堆積させるステップとを備え、3つの前記ステップ全てが単一のCVDチャンバ内で行われる堆積方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 29/786
, H01L 21/336
