半導体素子の過電流保護装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-119030
公開番号（公開出願番号）：特開平9-308078
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】従来の保護装置は半導体素子の電流測定手段、電圧測定手段および収納ケース温度測定手段を要し、構成が繁雑になり小型化することが困難で、高価であった。【解決手段】半導体素子の電流検出値に所定の保護特性に基づく演算を行う演算手段と、この演算手段による演算結果を積算する積算手段と、この積算手段による積算値を所定時間毎にリセットするリセット手段と、積算値が予め設定した設定値を越えたことを判定する判定手段とからなる第1の過電流検出手段と、前記電流検出値が所定の値を超えたことを検出する第2の過電流検出手段とを備え、第1または第2の過電流検出手段の出力によって半導体素子の動作を停止させるようにした。

請求項（抜粋）：

半導体素子の電流検出値に所定の保護特性に基づく演算を行う演算手段と、この演算手段による演算結果を積算する積算手段と、この積算手段による積算値を所定時間毎にリセットするリセット手段と、前記積算値が予め設定した設定値を越えたことを判定する判定手段とからなる第1の過電流検出手段と、前記電流検出値が所定の値を超えたことを検出する第2の過電流検出手段とを備え、前記第1または第2の過電流検出手段の出力によって前記半導体素子の動作を停止させるように構成したことを特徴とする半導体素子の過電流保護装置。

IPC (5件)：

H02H 3/08 , G01R 19/00 , H02H 3/087 , H02H 3/093 , H02H 7/12

FI (5件)：

H02H 3/08 D , G01R 19/00 H , H02H 3/087 , H02H 3/093 D , H02H 7/12 E

引用特許：

審査官引用 (5件)

固体回路電力コントローラ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-304397 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
直流半導体遮断器
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-254463 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-128618

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