特許
J-GLOBAL ID：200903052959223748
半導体ウェーハのバルク欠陥の形態論分析方法および表面欠陥の形態論分析方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-238386
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204384
出願日： 1998年08月25日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェーハのバルク欠陥の形態論分析方法及び表面欠陥の形態論分析方法を提供する。【解決手段】 ウェーハ内に存在するバルク欠陥の位置を把握して前記バルク欠陥が存在する位置の近接領域に所定の標識をマーキングする試料準備段階と、前記バルク欠陥の形態論を分析することができる試料を製造する試料製造段階と、前記バルク欠陥の形態論を分析する分析段階とを含むことを特徴とする。また、ウェーハの表面を基準に所定の深さまで存在する表面欠陥の位置を把握して前記表面欠陥が存在する位置の近接領域に所定の標識をマーキングする試料準備段階と、前記表面欠陥の形態論を分析できる試料に製造する試料製造段階と、前記表面欠陥形態論を分析する分析段階とを含むことを特徴とする。従って、バルク欠陥及び表面欠陥による不良の原因を正確に糾明することによって半導体素子の信頼度が向上される。
請求項（抜粋）：
ウェーハ内に存するバルク欠陥の位置を把握して前記バルク欠陥が存在する位置の近接領域に所定の標識をマーキングする試料準備段階と、前記所定の標識を利用して前記ウェーハをミリングさせ、前記バルク欠陥の形態論を分析できる試料を製造する試料製造段階と、前記試料を利用して前記バルク欠陥の形態論を分析する分析段階と、を含むことを特徴とする半導体ウェーハのバルク欠陥の形態論分析方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/02 A
, H01L 21/66 J
, H01L 21/66 L
